Añadir RAM sin perder Dual Channel

Veréis, tengo un equipo de sobremesa, y hace poco actualicé a Windows 7 Ultimate, y va bastante lento. El equipo tiene 1024MB (1GB) de memoria RAM, y me gustaría alcanzar los 4 GB, que es el máximo que soporta la Placa Base, pero he leído que tiene que ser el mismo tipo de memoria para no perder el Dual Channel. He hecho un informe con Everest, pero sigo sin saber que tipo es, os agradecería si me lo expliáis. Podría quitar las dos que tengo ahora mismo (sea el tipo que sea) y poner una de 4GB de otro tipo, o dos de 2GB?
Os dejo el informe:

--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM1: Kingston K ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Kingston K
Número de serie 6D1C09B1h
Fecha de fabricación Semana 28 / 2005
Tamaño del módulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC3200 (200 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Kingston Technology Company, Inc.
Información sobre el producto http://www.kingston.com/products/default.asp

[ DIMM2: Micron Tech. 16VDDT6464AY-40BG6 ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Micron Tech. 16VDDT6464AY-40BG6
Número de serie 4A0873DCh
Fecha de fabricación Semana 2 / 2006
Tamaño del módulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC3200 (200 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Micron Technology, Inc.


Muchísimas gracias de antemano