Samsung, una memoria interna de 256 GB

Samsung, una memoria interna de 256 GB
Samsung crea una memoria interna para teléfonos inteligentes de 256 GB, más rápida y pequeña que las actuales.

Samsung ha comenzado (en inglés) la producción en masa de una memoria interna para teléfonos inteligentes de 256 GB. Este nuevo módulo está basado en el estándar Universal Flash Storage (UFS) 2.0 y ofrecerá una ultra alta velocidad de transferencia, una gran capacidad de almacenamiento y un tamaño reducido en los terminales de gama alta de la próxima generación.

La memoria creada por Samsung duplica la velocidad de la actual generación y puede gestionar hasta 45.000 y 40.000 operaciones por segundo de entrada y de salida, respectivamente. Utiliza dos líneas de transferencia de datos, de tal manera que alcanza velocidades de lectura de hasta 850 MB/s, casi el doble de lo que alcanzan las unidades SSD utilizadas en las computadoras. Su velocidad de escritura es de hasta 260 MB/s aproximadamente, el triple que las tarjetas micro SD más avanzadas. Todo ello se traduce en que esta memoria permite ejecutar varias operaciones al mismo tiempo, como por ejemplo, ver una película en 4K mientras se buscan imágenes a pantalla partida. Asimismo, con las conexiones USB 3.0 también permitirá transferir datos entre dispositivos móviles a mayor velocidad, por lo que será posible enviar archivos de 5 GB en solo 12 segundos. Además, es más pequeña que las tarjetas micro SD.

Este anuncio llega solo unos días después de que Samsung presentara su nuevo teléfono estrella, el Galaxy S7.

Foto: © iStock.