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Samsung crea nuevos chips de memoria

Samsung crea nuevos chips de memoria
Los nuevos chips de memoria de Samsung son 7 veces más rápidos y tienen el doble de ancho de banda que los GDDR5.

Samsung ha anunciado (en inglés) que ha comenzado la producción en masa de sus nuevos chips de memoria DRAM HBM2 de 4 GB, que estarán destinados a una nueva generación de servidores y tarjetas gráficas. Estos chips utilizan la segunda generación de la interfaz High Bandwidth Memory creada por AMD con un diseño 3D y, además, los módulos de memoria DRAM se basan en la tecnología de producción de 20 nanómetros y el diseño HBM más avanzado. Todo ello se traduce en una memoria que ofrece un alto rendimiento, una importante eficiencia energética y una gran fiabilidad. Tanto es así, que las memorias DRAM HBM2 de 4 GB de Samsung pueden trabajar con unas velocidades de 256 GB/s, es decir, que son siete veces más rápidas y presentan el doble de ancho de banda por vatio que los chips GDDR5.

Por otro lado, la compañía surcoreana también ha señalado que espera empezar a fabricar los nuevos chips de memoria DRAM HBM2 de 8 GB este mismo año. Con estas memorias, los fabricantes podrán crear tarjetas gráficas un 95 % más pequeñas que las actuales.

Este anuncio de Samsung se suma a la noticia de que fabricará en exclusiva los nuevos procesadores Snapdragon 820 de Qualcomm y a los rumores sobre un acuerdo similar con AMD.

Foto: © iStock.